設(shè)備名稱

Description

型號

Model

主要技術(shù)內(nèi)容

Specification

主要用途

Usage

其它

Other

多靶磁控濺射設(shè)備

Magnetron

Sputtering

Equipment

DB-450

極限真空：7x10^-5Pa

Ultimate cacuuum:7x10^-5Pa

濺射室：φ450x350

Sputtering chamber:φ450x350

靶：4xφ76

Target：4xφ76

樣品：φ50x4個

Sample size:φ50x4個

樣品加熱：500℃

Sample heated temperature：500℃

濺頻功率：RF 1000W；DC200W

Sputtering power: RF 1000W；DC200W

樣片運動方式：公轉(zhuǎn)、自轉(zhuǎn)

Sample transmission:Revolted and rotated

配氣系統(tǒng)：3路流量控制

Gas flow  system:3-MFC,

用于制備各種單層或多層介

質(zhì)膜、金屬、半導體薄膜及

工藝研究。

Used for the production of metal

 films,medium films,semiconduct

 or films and metal films

Suitable for scientific research.

工藝過程計算機控制