設備名稱

Description

型號

Model

主要技術內(nèi)容

Specification

主要用途

Usage

其它

Other

多靶磁控濺射設備

Magnetron

Sputtering

Equipment

DB-500B

極限真空：8x10^-5Pa

Ultimate cacuuum:8x10^-5Pa

濺射室：φ500

Sputtering chamber:φ500

進樣室：φ400

Preparation chamber:φ400

靶：3xφ60

Target：3xφ60

樣品：φ50；試管狀樣塊

Sample size:φ50

樣品加熱：400℃

Sample heated temperature：400℃

退火：700℃

Back the fire: 700℃

濺頻功率：RF 1000W；DC1000W

Sputtering power: RF 500W; DC500W

樣片等離子清洗；

Plasma clean

樣片運動方式：公轉、自轉

Sample transmission:Revolted and rotated

配氣系統(tǒng)：2路流量控制

Gas flow  system:2-MFC,

Flow control

用于制備各種單質、氧化物、

金屬、半導體、磁性薄膜及

特殊要求薄膜的工藝研究。

并可制備較大面積的薄膜。

Used for the production of 

metal films,medium

 films,semiconduct or films 

and metal films

Suitable for scientific research.

可選計算機控制。（樣品轉盤

復位、確認靶位；時間、厚

度控制及記錄功能；樣品回

轉控制；靶極遮擋；膜厚控

制；自動生成濺射過程溫度、

濺射電流、電壓、氣體流量、

真空度等隨時間變化的曲線）

Can

Options:Computer

Process control

System.