設(shè)備名稱

Description

型號(hào)

Model

主要技術(shù)內(nèi)容

Specification

主要用途

Usage

其它

Other

多靶磁控濺射設(shè)備

Magnetron

Sputtering

Equipment

DB-500A

極限真空：8x10^-5Pa

Ultimate cacuuum:8x10^-5Pa

濺射室：φ500

Sputtering chamber:φ500

靶：3xφ60

Target：3xφ60

樣品：φ50；試管狀樣塊

Sample size:φ50

樣品加熱：400℃

Sample heated temperature：400℃

濺頻功率：RF 500W；DC500W

Sputtering power: RF 500W; DC500W

樣片等離子清洗；

Plasma clean

樣片運(yùn)動(dòng)方式：公轉(zhuǎn)、自轉(zhuǎn)

Sample transmission:Revolted and rotated

配氣系統(tǒng)：2路流量控制

Gas flow  system:2-MFC,

Flow control

用于制備各種單層或多層介

質(zhì)膜、金屬、半導(dǎo)體薄膜及

工藝研究。

Used for the production of metal

 films,medium films,semiconduct

 or films and metal films

Suitable for scientific research.

可選計(jì)算機(jī)控制。

Can

Options:Computer

Process control

System.