設(shè)備名稱

Description

型號(hào)

Model

主要技術(shù)內(nèi)容

Specification

主要用途

Usage

其它

Other

多靶磁控濺射設(shè)備

Magnetron

Sputtering

Equipment

DB-900

極限真空：8x10-5Pa

Ultimate cacuuum:8x10-5Pa

濺射室：φ900

Sputtering chamber:φ900

靶：400x200三塊

Target：400x200 x3

樣品：φ350；

Sample size:φ350

樣品加熱：250℃

Sample heated temperature：250℃

樣片運(yùn)動(dòng)方式：公轉(zhuǎn)、自轉(zhuǎn)

Sample transmission:Revolted and rotated

配氣系統(tǒng)：2路流量控制

Gas flow  system:2-MFC,

Flow control

用于制備各種單層或多層介

質(zhì)膜、金屬、半導(dǎo)體薄膜及

工藝研究。

Used for the production of metal 

films,medium films,semiconduct

 or films and metal films

Suitable for scientific research.