設(shè)備名稱

Description

型號(hào)

Model

主要技術(shù)內(nèi)容

Specification

主要用途

Usage

其它

Other

大面積多靶磁控濺射設(shè)備

Magnetron

Sputtering

Equipment

DB-1380

極限真空：2x10-4Pa

Ultimate cacuuum:2x10-4Pa

濺射室：1380x250x490

Sputtering chamber:1380x250x490

進(jìn)樣室：430x250x490

Preparation chamber:430x250x490

靶：320x130（3個(gè)）

Target：320x130（3set）

樣品：290x210

Sample size: 290x210

樣品加熱：300℃

Sample heated temperature：300℃

退火：700℃

Back the fire: 700℃

濺頻功率：RF 1000W；DC1000W

Sputtering power: RF 1000W; DC1000W

樣片等離子清洗；

Plasma clean

配氣系統(tǒng)：2路流量控制

Gas flow  system:2-MFC,

Flow control

用于制備各種單層或多層介

質(zhì)膜、金屬、半導(dǎo)體薄膜及

工藝研究。

Used for the production of metal 

films,medium films,semiconduct 

or films and metal films

Suitable for scientific research.

可選計(jì)算機(jī)控制。（樣品轉(zhuǎn)盤

復(fù)位、確認(rèn)靶位；時(shí)間、厚

度控制及記錄功能；樣品回轉(zhuǎn)控

制；靶極遮擋；膜厚控制；自

動(dòng)生成濺射過程溫度、濺射電

流、電壓、氣體流量、

真空度等隨時(shí)間變化的曲線）

Can

Options:Computer

Process control

System.