設備名稱

Description

型號

Model

主要技術內(nèi)容

Specification

主要用途

Usage

其它

Other

三室PECVD

沉積設備

PCVD Plasma

Enhanced

Chemical

Vapor

Deposition

Equipment

3S-400

極限真空：8x10^-5Pa

Ultimate cacuuum:8x10^-5Pa

PECVD沉積室：φ400

OECVD chamber:φ400

樣品：100x100

Sample size:100x100

樣品加熱：350℃

temperature：350℃

射頻功率：RF 500W

Sputtering power：RF 500W

配氣系統(tǒng)：5路流量控制

Gas flow  system:5-MFC,

Flow control

非晶硅薄膜制備工藝研究。

Amorphous films.

可選計算機控制。自動生成沉

積過程溫度、射頻電流、電壓、

氣體流量、真空度等隨時間

變化的曲線。

Can

Options:Computer

Process control

System.