設備名稱

Description

型號

Model

主要技術內(nèi)容

Specification

主要用途

Usage

其它

Other

單室PECVD

沉積設備

PCVD Plasma

Enhanced

Chemical

Vapor

Deposition

Equipment

1S-300

極限真空：8x10^-5Pa

Ultimate cacuuum:8x10^-5Pa

PECVD沉積室：φ300

OECVD chamber:φ300

樣品：φ50

Sample size:φ50

樣品加熱：700℃

temperature：700℃

射頻功率：RF 300W

Sputtering power：RF 300W

配氣系統(tǒng)：5路流量控制

Gas flow  system:5-MFC,

Flow control

非晶硅薄膜制備工藝研究。

Amorphous films.