設(shè)備名稱

Description

型號(hào)

Model

主要技術(shù)內(nèi)容

Specification

主要用途

Usage

其它

Other

CVD沉積設(shè)備

PCVD Plasma

Enhanced

Chemical

Vapor

Deposition

Equipment

1S-700

沉積室：700x700x500

Chamber: 700x700x500

樣品臺(tái)：φ350

Sample set:φ350

極限真空：2x10-4Pa

Ultimate cacuuum:2x10^-4Pa

樣品轉(zhuǎn)速：1～10轉(zhuǎn)/小時(shí)

Turning rate:0.02～0.2rpm

樣品加熱：300℃

Temperature:300℃

射頻功率：RF 2000W

Sputtering power：RF 2000W

配氣系統(tǒng)：5路流量控制

Gas flow  system:5-MFC,

Flow control

用于制備類金剛石保護(hù)膜。

可選計(jì)算機(jī)控制。可實(shí)現(xiàn)多

層膜計(jì)算機(jī)控制自動(dòng)沉積，

自動(dòng)生成沉積過程溫度、射

頻電流、電壓、氣體流量、

真空度等隨時(shí)間變化的曲線。

Can

Options:Computer

Process control

System.