設(shè)備名稱

Description

型號

Model

主要技術(shù)內(nèi)容

Specification

主要用途

Usage

其它

Other

三室PECVD

沉積設(shè)備

PCVD Plasma

Enhanced

Chemical

Vapor

Deposition

Equipment

3S-300

極限真空：5x10^-5Pa

Ultimate cacuuum:5x10^-5Pa

PECVD沉積室：φ300

OECVD chamber:φ300

樣品：φ50

Sample size:φ50

樣品加熱：1000℃

temperature：1000℃

射頻功率：RF 500W

Sputtering power：RF 500W

配氣系統(tǒng)：5路流量控制

Gas flow  system:5-MFC,

Flow control

非晶硅薄膜、太陽能

電池制備工藝研究。

Amorphous films.

可選計(jì)算機(jī)控制。自動生成沉積

過程溫度、射頻電流、電壓、

氣體流量、真空度等隨時(shí)間

變化的曲線。

Can

Options:Computer

Process control

System.