設(shè)備名稱

Description

型號(hào)

Model

主要技術(shù)內(nèi)容

Specification

主要用途

Usage

其它

Other

CVD沉積設(shè)備

PCVD Plasma

Enhanced

Chemical

Vapor

Deposition

Equipment

D700

極限真空：2x10^-4Pa

Ultimate cacuuum:2x10^-4Pa

PECVD沉積室：900x900x400

OECVD chamber:900x900x400

樣品：650 x650

Sample size: 650 x650

樣品加熱：300℃

temperature：300℃

射頻功率：RF 2000W

Sputtering power：RF 2000W

配氣系統(tǒng)：5路流量控制

Gas flow  system:5-MFC,

Flow control

太陽能電池薄膜制備。

可選計(jì)算機(jī)控制。可實(shí)現(xiàn)多

層膜計(jì)算機(jī)控制自動(dòng)沉積，

自動(dòng)生成沉積過程溫度、

射頻電流、電壓、氣體流

量、真空度等隨時(shí)間變化

的曲線。

Can

Options:Computer

Process control

System.